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  • 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

    11

    通道极（jí）性：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-252-2L(DPAK)/-55~125

    描述：

    650V,360mΩ,5A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET



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