凤凰(中国)官方网站-登录入口

PRODUCT CENTER

产品中（zhōng）心

32位MCU 存（cún）储芯片功（gōng）率（lǜ）器件（jiàn）

漏源电压BV DSS (V)(Min.)：	600
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：	83
导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：	99
最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：	40
通道极性：	N沟道
封装/温度(℃)：	TO-220F-3L/-55~125
描（miáo）述：	600V,99mΩ,40A,N沟道基于超级结技术的（de）功率MOSFET